Super Trench MOSFET:

 

Super Trench MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Shield Gate Deep Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。通过采用这一先进技术,最新的75V-150V中压MOSFET产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))比上一代产品降低了45%。新款Super Trench MOSFET的软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰,实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关。

 

Super Trench技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,以100V产品为例,对比上一代沟槽型MOSFET产品,Super Trench技术将器件175度下的导通电阻倍增因子(Rdson@Tc=175C/Rdson@Tc=25C)由原有的2.29降低为2.09,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。Super TrenchMOSFET产品将更适宜于高温严酷环境下的应用!

 

配合先进的封装技术,Super Trench技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理。

 

目前推出的量产品种包含75V85V100V150V的中压系列,同时为您带来包括TO-247TO-220TO-220FTO-263TO-252DFN 5*6等多款封装外形选择。

 

特点与优势:

 

· 极低的Rdson                              · 极低的QgQgd                          · 极低的FOMRdson*Qg            · 高温下的电流能力更强

· 快速柔软恢复的体二极管特性    · Crss/Ciss,增强抗EMI能力     · UIS耐量,100%出厂测试           · 符合RoHS标准

 

应用:

 

· 交流/直流电源的同步整流            · 直流电机驱动             · 逆变器           · 电池充电器和电池保护电路 

·36V-96V系统中的马达控制                 · 隔离的直流-直流转换器                            · 不间断电源

Product Name Package VDS (max) ID(max) PD(max) VGS (max) RDS(on)(typ)
(@10V)
RDS(on)(max)
(@10V)
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