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Super Trench MOSFET 中压产品系列简介


Super Trench MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Shield Gate Deep Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。通过采用这一先进技术,最新的75V-150V中压MOSFET产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))比上一代产品降低了45%。新款Super Trench MOSFET的软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰,实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关,同时也适用于大功率电动车控制器、电动工具电源等的应用。


Super Trench技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,以100V产品为例,对比上一代沟槽型MOSFET产品,Super Trench MOSFET将器件175℃下的导通电阻倍增因子(Rdson@Tc=175℃/Rdson@Tc=25℃)由原有的2.29降低为2.09,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。Super Trench MOSFET产品将更适宜于高温严酷环境下的应用!


配合先进的封装技术,Super Trench技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理。目前推出的量产品种包含75V、85V、100V、150V的中压系列,同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装外形选择。


Super Trench技术对比传统沟槽技术的优势(以NCEP01T13为例)


◆ Super Trench技术比普通Trench技术的Rdson降低37%!

◆ Super Trench技术的Qg更低,Fom优化45%!

◆ Super Trench的Rdson温度特性更优,高温下电流能力更强!


80V Super Trench MOSFET代表产品与竞争者参数对比



ProductTechnologyVdsPd

Pack

age

Rdson Typ.Rsp
Qg Typ.Qgd Typ.
Fom
(Ron*Qg)
BVUIS
NCEP85T16Super Trench85V220WTO-2203.2mR

49

mR*mm2

96nC22nC

30

7mR*nc

93V

1600

mJ

"I"CompanyOptiMOS 380V214WTO-2203.1mR

48

mR*mm2

88nC18nC

27

3mR*nc

93V

1521

mJ

"F"CompanyPower Trench80V214WTO-2203.3mR

50

mR*mm2

102nC22nC

33

7mR*nc

88V

1560

mJ

"S"CompanySTripFET F780V200WTO-2203.5mR

53

mR*mm2

96nC26nC

336

mR*nc

91V

1400

mJ

注:以上所列产品均是竞争对手产品的最新一代的中压MOSFET产品。


100V Super Trench MOSFET代表产品与竞争者参数对比



ProductTechnologyVdsPd

Pack

age

Rdson 

Typ.

Rsp

Qg 

Typ.

Qgd

 Typ.

Fom
(Ron*Qg)
BVUIS
NCEP01T13Super Trench100V220WTO-2203.7mR

57mR*mm2

105nC19nC

388

mR*nc

113V

1444

mJ

"I"CompanyOptiMOS 3100V214WTO-2203.8mR

58

mR*mm2

88nC16nC

334

mR*nc

112V

1225

mJ

"F"CompanySTripFET F7100V250WTO-2203.5mR

60

mR*mm2

117nC26nC

410

mR*nc

110V

1225

mJ

"S"CompanyU-MOS VIII-H100V255WTO-2204.1mR

61

mR*mm2

140nC34nC

574

mR*nc

117V

115

6

mJ

注:以上所列产品均是竞争对手产品的最新一代的中压MOSFET产品。


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