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第三代高压超结(Super Junction)MOSFET技术

基于电荷平衡原理,在全面提升了功率MOSFET的导通特性和开关特性的基础上,结合先进的深槽刻蚀工艺能力,新洁能推出了一系列Super Junction 功率MOSFET产品,已广泛应用于光伏逆变、大功率电源、LED照明、手机充电器、笔记本适配器等领域。
   

通过优化器件结构设计,采用先进的工艺制造技术,新洁能最新推出了Super Junction MOSFET III 系列产品,具有更快的开关速度、更低的导通损耗,极低的栅极电荷Qg,实现了器件功率损耗更低,系统效率更高,雪崩耐量和ESD能力更优,器件应用可靠性更强。此外,第三代产品采用自主创新技术,优化了器件开关特性,在系统应用中具有更好的EMI表现,为系统设计提供了更大余量。


优势与特点:

更低的Rsp,更低的栅极电荷,更低的开关损耗

更高的轻载效率,优化的体二极管特性,符合ROSH标准




与竞争对手参数对比优势(NCE65T360K为例)


◆ SJ-MOS III 导通电阻Rdson较竞争对手最新同规格产品降低10%以上


 SJ-MOS III 栅极电荷Qg较竞争对手最新同规格产品降低30%


 SJ-MOS III 较竞争对手最新同规格产品的雪崩电流Ias能力


◆ SJ-MOS III 较竞争对手最新同规格产品的抗静电ESD(HBM)能力高70%

   

典型应用电路


   
   
产品系列



650V SJ III 产品
↓800V SJ III 产品

 

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