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第二代高压超结（Super Juntion）MOSFET技术
采用先进的耐压原理和优化的设计结构,全新700～900V SJ-MOS Ⅱ系列产品为系统应用提供充足的耐压余量，简化系统设计难度，提高系统可靠性，满足客户对高耐压、低导通电阻和高效率超结MOSFET的需求。
特性： - 更高的耐压为系统设计和应用提供更充足的余量 - 更低的导通电阻，利于降低导通损耗 - 极低的栅极电荷，提供更快的开关速度 - 同规格下更小的封装体积，使系统更轻便 - 100% 雪崩能力测试，确保产品质量可靠 | 应用： - 正激电路 - 准谐振反激电路 - 适配器 - 太阳能逆变器 - 工业整流 |
选择指南
Vce | R(on) | SOP-8 | TO-251S | TO-251 | TO-252 | TO-263 | TO-220F | TO-220 |
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700V | 1.2Ω | NCE70R1K2S | NCE70R1K2L | NCE70R1K2 | ||||
700V | 0.87Ω | - | NCE70R900L | |||||
700V | 0.54Ω | - | NCE70R540L | |||||
700V | 0.36Ω | - | - | - | NCE70R360K | NCE70R360D | NCE70R360F | NCE70R360 |
700V | 0.26Ω | - | - | - | - | NCE70R260D | NCE70R260F | NCE70R260 |
700V | 0.17Ω | - | - | - | - | - | NCE70R180F | NCE70R180 |
800V | 1.0Ω | - | NCE80R1K2L | NCE80R1K2I | NCE80R1K2K | NCE80R1K2D | NCE80R1K2F | NCE80R1K2 |
800V | 0.82Ω | - | NCE80R900L | NCE80R900K | NCE80R900D | NCE80R900F | NCE80R900F | NCE80R900 |
900V | 1.0Ω | - | NCE90R1K2L | NCE90R1K2D | NCE90R1K2 |
