通过优化器件结构设计,采用先进的工艺制造技术,新洁能最新推出了Super Junction MOSFET III 系列产品,具有更快的开关速度、更低的导通损耗,极低的栅极电荷Qg,实现了器件功率损耗更低,系统效率更高,雪崩耐量和ESD能力更优,器件应用可靠性更强。此外,第三代产品采用自主创新技术,优化了器件开关特性,在系统应用中具有更好的EMI表现,为系统设计提供了更大余量。
优势与特点:
更低的Rsp,更低的栅极电荷,更低的开关损耗
更高的轻载效率,优化的体二极管特性,符合ROSH标准
与竞争对手参数对比优势(NCE65T360K为例)
◆ SJ-MOS III 导通电阻Rdson较竞争对手最新同规格产品降低10%以上
◆ SJ-MOS III 栅极电荷Qg较竞争对手最新同规格产品降低30%
◆ SJ-MOS III 较竞争对手最新同规格产品的雪崩电流Ias能力
◆ SJ-MOS III 较竞争对手最新同规格产品的抗静电ESD(HBM)能力高70%