通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，新洁能最新推出了Super Junction MOSFET III 系列产品，具有更快的开关速度、更低的导通损耗，极低的栅极电荷Qg，实现了器件功率损耗更低，系统效率更高，雪崩耐量和ESD能力更优，器件应用可靠性更强。此外，第三代产品采用自主创新技术，优化了器件开关特性，在系统应用中具有更好的EMI表现，为系统设计提供了更大余量。

优势与特点：

更低的Rsp，更低的栅极电荷，更低的开关损耗

更高的轻载效率，优化的体二极管特性，符合ROSH标准

与竞争对手参数对比优势（NCE65T360K为例）

◆ SJ-MOS III 导通电阻Rdson较竞争对手最新同规格产品降低10%以上

◆ SJ-MOS III 较竞争对手最新同规格产品的抗静电ESD(HBM)能力高70%

   
   

产品系列

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↓650V SJ III 产品