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Super Trench MOSFET 中压产品系列简介
Super Trench技术全面提升了产品的导通电阻温度特性，有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度，以100V产品为例，对比上一代沟槽型MOSFET产品，Super Trench MOSFET将器件175℃下的导通电阻倍增因子（Rdson@Tc=175℃/Rdson@Tc=25℃）由原有的2.29降低为2.09，从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。Super Trench MOSFET产品将更适宜于高温严酷环境下的应用！
配合先进的封装技术，Super Trench技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理。目前推出的量产品种包含75V、85V、100V、150V的中压系列，同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装外形选择。
Super Trench技术对比传统沟槽技术的优势（以NCEP01T13为例）
◆ Super Trench技术比普通Trench技术的Rdson降低37%!
◆ Super Trench技术的Qg更低，Fom优化45%！
◆ Super Trench的Rdson温度特性更优，高温下电流能力更强！
80V Super Trench MOSFET代表产品与竞争者参数对比
| Product | Technology | Vds | Pd | Pack age | Rdson Typ. | Rsp | Qg Typ. | Qgd Typ. | Fom (Ron*Qg) | BV | UIS |
| NCEP85T16 | Super Trench | 85V | 220W | TO-220 | 3.2mR | 49 mR*mm2 | 96nC | 22nC | 30 7mR*nc | 93V | 1600 mJ |
| "I"Company | OptiMOS 3 | 80V | 214W | TO-220 | 3.1mR | 48 mR*mm2 | 88nC | 18nC | 27 3mR*nc | 93V | 1521 mJ |
| "F"Company | Power Trench | 80V | 214W | TO-220 | 3.3mR | 50 mR*mm2 | 102nC | 22nC | 33 7mR*nc | 88V | 1560 mJ |
| "S"Company | STripFET F7 | 80V | 200W | TO-220 | 3.5mR | 53 mR*mm2 | 96nC | 26nC | 336 mR*nc | 91V | 1400 mJ |
注：以上所列产品均是竞争对手产品的最新一代的中压MOSFET产品。
100V Super Trench MOSFET代表产品与竞争者参数对比
| Product | Technology | Vds | Pd | Pack age | Rdson Typ. | Rsp | Qg Typ. | Qgd Typ. | Fom (Ron*Qg) | BV | UIS |
| NCEP01T13 | Super Trench | 100V | 220W | TO-220 | 3.7mR | 57mR*mm2 | 105nC | 19nC | 388 mR*nc | 113V | 1444 mJ |
| "I"Company | OptiMOS 3 | 100V | 214W | TO-220 | 3.8mR | 58 mR*mm2 | 88nC | 16nC | 334 mR*nc | 112V | 1225 mJ |
| "F"Company | STripFET F7 | 100V | 250W | TO-220 | 3.5mR | 60 mR*mm2 | 117nC | 26nC | 410 mR*nc | 110V | 1225 mJ |
| "S"Company | U-MOS VIII-H | 100V | 255W | TO-220 | 4.1mR | 61 mR*mm2 | 140nC | 34nC | 574 mR*nc | 117V | 115 6 mJ |
